GSMS350N120M2

2024-10-18 點(diǎn)擊356

SiC模塊 型號(hào)GSMS350N120M2 ，V（ds）=1200V，導(dǎo)通電阻R（dson）=6.7mΩ，I（ds）=350A ，HPD封裝，主要應(yīng)用于光伏儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車、工業(yè)控制、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。

GSMF300R120M3

2024-10-18 點(diǎn)擊330

SiC模塊 型號(hào)GSMF300R120M3， V（ds）=1200V，導(dǎo)通電阻R（dson）=4.0mΩ，I（ds）=300A ，62mm封裝，主要應(yīng)用于光伏儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車、工業(yè)控制、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。